CVT合成生长高质量二维碲（2D-Te）

近年来，碲（Te）作为一种基本材料，因其高载流子迁移率、有趣的拓扑特性和优异的环境稳定性而受到广泛关注。然而，由于其固有的螺旋链结构，传统的合成方法难以获得具有高结晶质量的二维（2D）Te。上图报道了一种通过一步化学气相传输可控合成高质量二维Te纳米薄片的简便方法。该方法通过精确调整由温度决定的生长动力学，可以实现横向尺寸高达40 μm且结晶度高的碲纳米薄片。该团队还对Te纳米薄片的二次谐波产生进行了研究，结果表明该材料可以用作倍频晶体，并在非线性光学器件中具有潜在的应用。此外，基于该二维Te纳米薄片制造的场效应晶体管器件表现出优异的电学性能，并具有379 cm2 V-1 s-1的高迁移率。

采用高质量的二维材料（如SHIWEI-CVT真空化学气相输运快速可控合成生长制备系统），作为结构基元经过转移、拼接或层层堆叠形成各种范德华异质结/相结构，此类结构蕴含着新奇的物理现象，可用于构筑新功能电子元器件，为解决二维材料器件加工和实用化所面临的问题提供新思路。基于二维异质/相结构的器件研究的关键科学问题是如何对单一材料进行可控地拼接堆垛从而实现功能化的器件制备与集成。

高真空CVT化学气相输运合成生长系统能快速合成生长制备高性能性能

二维材料，目前被广泛采用，该方法既可高质量晶体生长，又可利用化学

可逆反应在不同温度下反应朝不同方向进行而生长高性能二维材料，具有

设备简单、成本低效率高、生长温度低和晶体质量高的突出特点。二维材

料转移平台主要由高清显微系统、高精度三维转移台、真空吸附加热集成

样品装置等部分组成，该系统可用于在超净化环境下、惰性气氛或者真空

环境中转移堆叠制备二维材料器件，并可扩展与手套箱、蒸发镀膜仪、

匀胶机、掩膜板对准平台等扩展组合联用。满足二维材料生长、湿法转移、

干法转移及非大气环境转移等操作。