MOS管的开关损耗

为了最大化省流，我不插时间点(对应图时间位置，之前的笔记有的)

完全导通:很简单，欧姆定律，固有电阻产生压降乘通过电流(方便计算得出该式子)

开关损耗:在升降压电路中开关场效应管的损耗，一开一关总消耗能量乘开关频率(就是单位时间开关次数)

驱动损耗:栅级电荷乘驱动电压乘开关频率

栅级驱动输出方波信号，上图是导通过程

vcc是漏极电压，vgs(on)是电压曲线，因为存在米勒电容导致bc段电压不变。随着米勒电容充满，输出电流达到最大

该公式忽略开关损耗(这里相当于一个电阻)

Vds就是场效应管压降

关断过程 不同颜色的线代表参考导通过程

因为存在Cgd，导致直到时间位点d还在导通。Cgd放完电到Cgs帮忙，导致Vgs虽然下降但基本无损耗。但到了米勒电容放电 ，压降开始变大直到所有寄生电容放完电

关断过程和启动一样，不上图

(还是加个坐标)

极限情况就是Id最大Vcc下降

公式直接导(电压电流单位时间，形成三角)

关断公式一样但时间单位是Toff(实际和启动时间不一样，毕竟有电路快速关闭)

这个电阻也要小(解决振铃)

另外查过数据手册的，电压越大寄生电容会适当减少